VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

调控Al2O3晶型控制MgAl2O4:Mn4+荧光粉中Mn价态研究

Mn⁴⁺激活红光荧光粉是白光半导体发光二极管(wLEDs)领域当前研究热点之一。Mn⁴⁺离子²E→⁴A₂跃迁在铝酸盐中的最短发光波长是在MgAl₂O₄中实现的651 nm发光, 由于其结构中含有形成四面体或八面体配位的两种阳离子格位(Mg²⁺/Al³⁺), 易造成所掺杂锰元素存在多种价态(+2/+4/+3等)。本研究通过改变起始原料中Al₂O₃的晶型(γ/α比例)及退火处理来调控锰离子在MgAl₂O₄晶格中的占据格位, 对其主要存在价态实现调控。采用荧光光谱和紫外-可见-近红外漫反射光谱技术来表征所合成荧光粉中Mn离子的价态及其演变。研究发现, 高α/(α+γ)比铝源促进Mn²⁺形成, 而低α/(α+γ)比铝源促进Mn⁴⁺形成。通过使用高活性纳米γ-Al₂O₃为铝源, 有效抑制了锰离子在MgAl₂O₄中Mg²⁺格位的占据及Mn²⁺离子的形成, 经空气中1550 ℃保温5 h的一次高温热处理即可制备出在可见光区只有Mn⁴⁺红光发光的高纯高亮度MgAl₂O₄:Mn⁴⁺荧光粉。氧化铝晶型影响锰离子掺杂格位和掺杂价态的本质规律是: 氧化铝活性决定实际固溶掺杂反应步骤, 进而影响锰离子掺杂格位和价态。本研究提出的反应步骤调控作为反应气氛、电荷补偿剂、反应温度三种调控方法外的一种新方法, 为Mn⁴⁺激活铝酸盐荧光粉中锰离子掺杂价态调控提供了新思路。     

分布式控制系统在油气田站场模块化中的应用

模块化模式较传统模式能更好地适应油气田地面建设工程,而作为重要组成部分的控制系统及其适应性问题就日益凸显。介绍了远程I/O和撬装I/O的分布式控制系统的设计思路和系统结构,依据现有工程项目案例分析了不同控制方案的硬件成本、施工、调试及维护等,并讨论了分布式控制系统现场控制柜的适应性和解决方案。以期为油气田站场模块化建设提供参考。     

VR虚拟实验室模型建设方案设计

随着VR软件和硬件技术在近几年得到质的提升,VR技术也越来越贴近人们的生产生活.VR技术广泛地用于商业游戏、环境模拟、线上和线下教育、远程虚拟医疗等领域.在教育行业目前有很多的虚拟实验室和模拟实训得到设计和开发.本文探讨了以3DS MAX等为主要设计开发工具的虚拟实验室模型建设方案的开发设计工作.     

3-乙酰基香豆素肟衍生物的合成及抗肿瘤活性

以水杨醛为起始原料,经Knoevenagel反应得到3-乙酰基香豆素,将其酮羰基与盐酸羟胺反应得到肟,利用肟羟基与不同碳数的二溴烷烃反应得到相应的溴代肟醚,再与硝酸银反应得到5个3-乙酰基香豆素肟硝酸酯杂合物。目标化合物的结构经红外光谱、核磁共振氢谱和质谱确证。用检测灵敏度高的CCK-8法评价了目标化合物对人肝癌HepG2细胞、人前列腺癌22RV1细胞、人胃癌HGC-27细胞及人肺癌A549细胞增殖的影响,结果显示3-乙酰香豆素肟硝氧丁基醚对受试的HepG2、HGC-27癌细胞具有较强的增殖抑制作用。     

0Cr15Ni5Cu2Ti不锈钢管的研制

介绍了椎48 mm伊7.5 mm规格高强度马氏体沉淀硬化不锈钢0Cr15Ni5Cu2Ti钢管的生产工艺情况,重点论述该材料在制管过程中的热加工(热穿孔)、冷加工及热处理和酸洗工艺,分析固溶温度和时效温度对该管材力学性能的影响。分析认为:0Cr15Ni5Cu2Ti管坯在热穿孔前采用1 100耀1 130益保温20 min加热工艺,实际穿孔效果较好;采用NaOH碱爆及HNO3+HF酸洗联合工艺,可较好地清除荒管内外表面氧化皮;采用950耀980益淬火保温30 min+590耀600益回火保温4 h的热处理工艺,可使0Cr15Ni5Cu2Ti成品管获得良好的综合机械性能。     

英寸级少层MoS2薄膜的低温可控制备

大面积二硫化钼(MoS2)薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS2,对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道.本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS2薄膜,并经低温退火,实现了大面积较高质量的MoS2薄膜可控制备.原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析结果表明:所制得的大面积超薄薄膜为3层的多晶膜,厚度约2.2 nm,且均匀、平整、可控,薄膜结晶性好、稳定性高.使用同样的工艺在Si/SiO2基片上制备少层MoS2薄膜,并将其制成背栅场效应晶体管(TFT),电学表征表明该薄膜呈现P型导电特征,载流子迁移率为0.183 cm2·V-1·s-1.本工作提供了一种大面积少层MoS2薄膜的可控制备方法,而且制备温度低,工艺简单且兼容性强,易实现大规模工业化生产.     

综合医院洁净手术部电气设计要点剖析

结合三级医院洁净手术部的设计实践,重点从供电电源、供电方案、配电设计、照明设计、安全接地、电气用房设计等方面,剖析洁净手术部的电气设计要点,为满足医院常态化疫情防控提供技术保障.     

复合真空冷冻干燥益生菌发酵保护剂的研制

为提高复合益生菌发酵剂冻干粉存活率。本研究以植物乳杆菌(Lactobacillus plantarum)、纳豆芽孢杆菌(Bacillus natto)、嗜酸乳杆菌(Lactobacillus acidophilus)为试验菌株,在单因素实验基础上采用正交试验优化三种益生菌发酵剂保护剂配方,优化后将三种益生菌冻干菌粉按一定质量比复合应用。结果表明,植物乳杆菌保护剂最佳配方组合为:可溶性淀粉14%,低聚木糖12%,谷氨酸钠3%,菊糖15%;纳豆芽孢杆菌保护剂配方最佳组合为:可溶性淀粉18%,谷氨酸钠7%,菊糖12%,吐温-80 1.8%;嗜酸乳杆菌保护剂配方最佳组合为:可溶性淀粉18%,低聚木糖12%,谷氨酸钠7%,菊糖15%。